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牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Estrelas
名稱：其他儀器與工具
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型號：
簡介：牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Estrelas平臺旨在提供深硅蝕刻（DSiE）領(lǐng)域的全方位的靈活性以滿足微電子機械系統(tǒng)（MEMS）、 先進封裝以及納米技術(shù)市場的各種工藝要求?？紤]到研究和生產(chǎn)的市場發(fā)展，Plasm...
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- 產(chǎn)品介紹
牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Estrelas平臺旨在提供深硅蝕刻（DSiE）領(lǐng)域的全方位的靈活性以滿足微電子機械系統(tǒng)（MEMS）、 先進封裝以及納米技術(shù)市場的各種工藝要求。考慮到研究和生產(chǎn)的市場發(fā)展，PlasmaPro 100 Estrelas 提供了更加出色的工藝靈活性。
ICP刻蝕是一種被廣泛使用的技術(shù)，可提供高速率、高選擇比以及低損傷的刻蝕。等離子體能夠在低氣壓下保持穩(wěn)定，因此能夠更好地控制刻蝕形貌。 Cobra® ICP刻蝕源在低氣壓下仍可產(chǎn)生高密度的反應(yīng)粒子。襯底上的直流偏壓由一個射頻發(fā)生器獨立控制, 因此可根據(jù)工藝要求控制離子能量。
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光滑側(cè)壁工藝
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高刻蝕速率腔刻蝕
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高深寬比工藝
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錐形通孔刻蝕
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廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域
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機械或靜電壓盤
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加熱內(nèi)襯
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改善重復(fù)性
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延長了兩次清洗間的平均時間間隔（MTBC）
牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Estrelas特征
硬件設(shè)計使同一腔室中可進行Bosch™和超低溫刻蝕工藝，使得納米和微米結(jié)構(gòu)刻蝕均可實現(xiàn)。
兼容50mm至200mm的襯底 - 確保您只需一臺系統(tǒng)，便具備從研發(fā)器件到量產(chǎn)的能力
自動匹配 - 擁有工藝靈活性
更高流量的質(zhì)量流量計以及等離子發(fā)生器 - 自由基密度更高
減小的腔體尺寸和高效率的泵 - 確保氣體高速流通
快速近距離耦合質(zhì)量流量計 - 快速控制（初始為ALD而開發(fā)）
牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Estrelas應(yīng)用
- 硅 Bosch和超低溫刻蝕工藝
- 二氧化硅和石英刻蝕
ICP刻蝕是一種被廣泛使用的技術(shù)，可提供高速率、高選擇比以及低損傷的刻蝕。等離子體能夠在低氣壓下保持穩(wěn)定，因此能夠更好地控制刻蝕形貌。 Cobra® ICP刻蝕源在低氣壓下仍可產(chǎn)生高密度的反應(yīng)粒子。襯底上的直流偏壓由一個射頻發(fā)生器獨立控制, 因此可根據(jù)工藝要求控制離子能量。
電感耦合等離子體刻蝕要點
- 高刻蝕速率
- 出色的均勻性
- 低氣壓下高密度的反應(yīng)粒子
- 精準的襯底直流偏壓控制
- 精準的離子能量控制
- 更寬的電極溫度范圍 -150ºC至+400ºC
電感耦合等離子體刻蝕特點及優(yōu)勢
- 高刻蝕速率可由高離子密度（> 1011 /cm3）和高自由基密度來實現(xiàn)
- 能夠利用低離子能量實現(xiàn)對選擇比和損傷的控制
- 獨立的射頻和電感耦合等離子體發(fā)生器分別提供了對離子能量和離子密度的獨立控制, 從而實現(xiàn)了高度的工藝靈活性
- 在低氣壓工藝下同時仍具有高離子密度，這樣可以改善對外形的控制
- 化學(xué)和離子誘導(dǎo)刻蝕
- 也可以在RIE模式下運行，以滿足某些慢速刻蝕的需要
- 可用于ICP－CVD模式的沉積
- 高導(dǎo)通的泵送端口可提供高氣體流量，以實現(xiàn)快速的刻蝕速率
- 靜電屏蔽消除了電容耦合，減少了對器件的電學(xué)損傷，以及在腔室內(nèi)減少了雜質(zhì)顆粒的形成
- 標準化的晶圓壓盤與氦冷卻，提供了出色的溫度控制，同時可以選擇更寬的溫度范圍
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