湖南省長(zhǎng)沙市開(kāi)福區(qū)車站北路湘域智慧南塔
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牛津儀器 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PECVD）PlasmaPro 800
名稱：其他儀器與工具
品牌：
型號(hào)：
簡(jiǎn)介：PlasmaPro 800為大批量和300毫米晶圓的等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）工藝提供了一種靈活的解決方案，占地面積小，開(kāi)放式裝載系統(tǒng)。大型的晶圓壓盤(pán)允許生產(chǎn)規(guī)模的批量加工和300毫米晶圓處理。PlasmaPro 800具有460...
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- 產(chǎn)品介紹
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高性能工藝
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準(zhǔn)確的襯底溫度控制
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準(zhǔn)確的工藝控制
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成熟的300mm單晶圓失效分析工藝
特征
為化合物半導(dǎo)體、光電子和光子學(xué)應(yīng)用提供了更為靈活的工藝，PlasmaPro 800 可提供：
大型電極 - 低成本
刻蝕終點(diǎn)監(jiān)測(cè) - 可靠性和可維護(hù)性俱佳
通過(guò)激光干涉儀與/或發(fā)射光譜進(jìn)行終點(diǎn)監(jiān)測(cè) - 增強(qiáng)刻蝕控制
可選擇帶有4-、8-或12-條氣路的氣柜 - 可提供靈活的工藝和工藝氣體，可以與主機(jī)分離，放置在遠(yuǎn)端服務(wù)區(qū)
近距離耦合渦輪泵 - 提供優(yōu)越的泵送速度加快氣體的流動(dòng)速度
數(shù)據(jù)記錄 - 追溯腔室的歷史狀態(tài)以及工藝條件
液體冷卻和/或電加熱電極 - 出色的電極溫度控制和穩(wěn)定性
應(yīng)用
- 使用我們的具有特殊配置的失效分析設(shè)備進(jìn)行干法刻蝕解剖工藝 —— 具有RIE和 PE兩種模式
- RIE／PE工藝涵蓋了從封裝好的芯片和裸芯片刻蝕到整片300mm晶圓刻蝕
- 高質(zhì)量沉積的PECVD SiNx和SiO2 ，適用于光子學(xué)、介電層鈍化和諸多其它領(lǐng)域
- SiO2，SiNx和石英刻蝕
- 金屬和聚酰亞胺有機(jī)物刻蝕
- 用于高亮度LED生產(chǎn)的鈍化沉積
- III-V族刻蝕工藝
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