捷歐路JEOL JEM-ARM200F 原子分辨分析型透射電子顯微鏡
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簡介：捷歐路JEOL JEM-ARM200F 原子分辨分析型透射電子顯微鏡標配了照明系統(tǒng)球差校正器，是一款原子分辨分析型透射電鏡，擁有世界領(lǐng)先的STEM-HAADF像分辨率（78pm）。標配照明系統(tǒng)球差校正器，且最大限度地提升了裝置的機械穩(wěn)定性和...
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- 產(chǎn)品介紹
捷歐路JEOL JEM-ARM200F 原子分辨分析型透射電子顯微鏡標配了照明系統(tǒng)球差校正器，是一款原子分辨分析型透射電鏡，擁有世界領(lǐng)先的STEM-HAADF像分辨率（78pm）。標配照明系統(tǒng)球差校正器，且最大限度地提升了裝置的機械穩(wěn)定性和電氣穩(wěn)定性，實現(xiàn)了世界領(lǐng)先的STEM-HAADF像分辨率 （78pm*1、82pm*2）。
捷歐路JEOL JEM-ARM200F 原子分辨分析型透射電子顯微鏡標配照明系統(tǒng)球差校正器，且最大限度地提升了裝置的機械穩(wěn)定性和電氣穩(wěn)定性，實現(xiàn)了世界領(lǐng)先的STEM-HAADF像分辨率 （78pm*1、82pm*2）。 此外經(jīng)過球差校正的電子束與一般的場發(fā)射透射電鏡相比，電流密度可以高出十倍。使用束斑更小、電流密度更大的電子束，能在進行原子水平的元素分析同時,大幅度地縮短測試時間，極大地提高分析效率。
*1 配備冷場發(fā)射電子槍 *2 配備肖特基場發(fā)射電子槍
捷歐路JEOL JEM-ARM200F 原子分辨分析型透射電子顯微鏡標配了掃描透射環(huán)形明場(STEM-ABF)成像模式，通過STEM-ABF像能直接觀察晶體樣品中輕元素的原子陣列，還可以同時獲取STEM-HAADF像，在樣品結(jié)構(gòu)的分析中能夠發(fā)揮巨大威力
捷歐路JEOL JEM-ARM200F 原子分辨分析型透射電子顯微鏡配備日本電子制造的100mm²的大面積硅漂移檢測器(Silicon Drift Detector:SDD)*3，可以進行快速、高靈敏的EDS元素分析，與經(jīng)過球差校正的電子束流組合，能進行原子級的元素面分布，在原子水平的分辨率下進行成份分析。
捷歐路JEOL JEM-ARM200F 原子分辨分析型透射電子顯微鏡的冷場發(fā)射電子槍(Cold-FEG)*4配備新開發(fā)的真空系統(tǒng)，與傳統(tǒng)的冷場發(fā)射電子槍不同，F(xiàn)lashing操作后可以馬上使用。由于光源小可以獲得更高分辨率的圖像。此外冷場發(fā)射電子槍的能量發(fā)散度小，不僅能進行高分辨率的EELS分析，還能降低色差。
捷歐路JEOL JEM-ARM200F 原子分辨分析型透射電子顯微鏡使用成像系統(tǒng)的球差校正器*5，透射電子像(TEM)的分辨率可以高達110pm。
| 分辨率 | |
|---|---|
| 掃描透射暗場像 |
82pm（加速電壓200kV、肖特基場發(fā)射電子槍） 78pm（加速電壓200kV、冷場發(fā)射電子槍） |
| 透射像（點分辨率） |
190pm（加速電壓200kV） 110pm（加速電壓200kV、安裝TEM球差校正器） |
| 倍率 | |
| 掃描透射像 | X200～X150,000,000 |
| 透射像 | X50～X2,000,000 |
| 電子槍 | |
| 電子槍 | 肖特基場發(fā)射電子槍 冷場發(fā)射電子槍（選配件） |
| 加速電壓 | 200～80kV（標準200kV、80kV） |
| 樣品系統(tǒng) | |
| 樣品臺 | 全對中側(cè)插式測角樣品臺 |
| 樣品尺寸 | 3mmΦ |
| 最大傾斜角 | X軸: ±25° Y軸: ±25°（使用雙傾樣品桿） |
| 移動范圍 | X,Y: ±1mm Z: ±0.1mm（馬達驅(qū)動／壓電驅(qū)動） |
| 球差校正器 | |
| 照明系統(tǒng)球差校正器 | 標配 |
| 成像系統(tǒng)球差校正器 | 選配件 |
| 選配件 | |
| 主要選配件 |
能譜儀（EDS） 電子能量損失譜儀（EELS） CCD數(shù)碼相機系統(tǒng) TEM/STEM斷層掃描系統(tǒng) 雙棱鏡 |
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